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Domenica, Agosto 09, 2020
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La ricerca di Samsung nello sviluppo di nuove memorie RAM ha portato alla realizzazione dei chip di memoria DDR3 da 2 Gb (256 MB), basati sul processo produttivo a 50 nanometri. Questi chip permettono di esplicare una produttività più alta del 60% rispetto alle memorie RAM di tipo DDR2 con uguale densità.



È possibile unire questi nuovi chip DDR3 fino a ottenere memorie RIMM (registered in-line memory modules) con capacità complessiva di 16 GB, con un risparmio energetico di circa il 40% rispetto ai moduli di memoria DDR3 composti da chip da 1 Gb.

Specificamente, questo fattore di forma così miniaturizzato permette di realizzare RIMM da 8 GB (o da 16 GB combinando due RIMM da 8 GB), SODIMM (small outline dual in-line memory modules) e UDIMM (unregistered in-line memory modules) da 4 GB in un unico componente pronto per l’installazione.

La velocità di trasferimento dei dati raggiunge 1,3 Gbps con un’alimentazione di 1,5 o 1,35 Volt, 1,6 volte più veloce rispetto a una memoria costituita da un doppio modulo basato su chip da 1 Gb con transfer rate da 800 Mbps. Inoltre il basso numero di chip DDR3 permette di ridurre in modo apprezzabile le emissioni di calore.

Il risparmio energetico ottenuto, insieme alla qualità della performance dei chip, rende queste DDR3 particolarmente indicate per l’utilizzo in macchine ad alte prestazioni così come nei notebook e nei desktop della prossima generazione.

Una curiosità: la tecnologia delle DDR3 a 50 nanometri da 2 Gb diventerà la più prodotta da Samsung a partire dal prossimo anno e ne verrà programmata a breve una produzione di massa. Chi segue con attenzione le evoluzioni del mercato può tenere in considerazione le stime di IDC, secondo cui ci si può attendere che il segmento dei chip di memoria DDR3 da 2 Gb crescerà dal 3% del 2009 al 33% del 2011.

 


Fonte : Samsung


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